通过利用电压而不是流动的电流，加州大学洛杉矶分校(UCLA)亨利·萨穆埃利工程
和应用科学学院的研究人员对一类名叫磁阻随机存取存储器(M RAM)的超快速、高容量
计算机存储器进行了重大改进。
UCLA的这个小组把经过他们改进的存储器称为磁电随机存取存储器(M eRAM)。它极
有可能被用来制造未来的存储芯片，这样的芯片既可以用在几乎所有的电子应用，包括
智能手机、平板电脑、计算机及微处理器中，也可以用于数据储存，例如计算机和大型
数据中心使用的固态硬盘中。
相对于现有技术，MeRAM存储器的关键优势是它把超低能量与极高存储密度、高速
读写时间以及非易失性结合于一身。非易失性是指存储器在断电情况下保持数据的能
力。M eRAM存储器与硬盘驱动器和闪存记忆棒功能相似，但速度要快很多。
目前，磁性存储器基于一种名叫“自旋转移矩”(STT)效应的技术，它除了利用电子
的电荷之外，还利用它们所具有的磁性即自旋特性。STT技术利用电流移动电子把数据
写入存储器。不过尽管STT技术在许多方面优于其他存储技术，但它基于电流的写入机
制仍然需要一定电量，这意味着它在写入数据时会产生热量。此外，其存储容量取决于
每一位数据所占据的物理空间，而这一过程又受到信息写入所需的电流强度的限制。于
是，较低的数位容量会转化成相对较高的单位数据存储成本，从而限制了STT技术的应
用范围。
UCLA的研究小组利用M eRAM，以电压取代STT技术中的电流，把数据写入存储
器。这排除了通过导线移动大量电子的必要性，而是利用电压即电势差进行磁性数位的
转换，从而把信息写入存储器。这使计算机存储器产生的热量大大减少，使能源效率提
高了10到1000倍。此外存储器的存储密度也可以提高4倍，即在同样的物理区域内可以
存储更多数据，从而也能降低单位数据的存储成本。
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