日本北陆尖端科学技术大学院大学近日宣布，其研究小组开发出能制作大面积硅薄膜
“silicene”的技术。这种只有一个原子厚的薄膜，可具备半导体的性质，有望用于制造
高速电子线路等。
研究小组在2厘米长、1厘米宽的硅基板表面，覆盖上陶瓷薄膜，然后在特殊真空装置
中将其加热到900摄氏度。于是，硅基板所含的硅元素就穿透陶瓷薄膜，出现在陶瓷薄膜
表面，形成硅薄膜。如果将基板做得更大，就可以制作出更大面积的硅薄膜。
日本研究者制造出只有一个原子厚的硅薄膜
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