一个国家标准和技术研究所（NIST）的皇家理工学院，和马里兰Nanocenter的大学的研究人员组成的团队已经开发出一种新技术，以确定在纳米尺度磁场结构的缺陷，甚至当他们埋葬下方多层电子设备的表面。
在NIST的纳米技术中心（CNST）测试方法是基于在美国俄亥俄州立大学的科学家进行的研究。这个概念是限制和图像薄膜中的自旋波称为磁场的振荡扰动。这些局限的自旋波可以用来作为一种工具，没有造成损害来衡量磁材料性能检测的纳米级的缺陷，可能或已经产生内存故障。
罗伯特·麦克迈克尔，在NIST的研究人员解释说，微波炉击中时，材料的磁化，它创建了一个与自旋波的涟漪，因为微波能量推动的旋转，这反过来又促使其他自旋。微波调谐到一个频率只是其中的自旋波的传播时超出范围，不含右侧下方的磁场探头尖端领域。
材料中的缺陷扰乱密闭的自旋波造成影响，从而使100纳米尺度上的缺陷的表征。早先的研究已经证明在磁场旋转，垂直方向的磁性薄膜的表面，这样的效果，从而限制了单个自旋的决议，因为与其他旋转强烈的连接。
在这项工作中，磁自旋不强耦合，并在与对方的飞机安排。这种模式不仅类似于磁性器件的结构，而且还使接近对焦和更高的分辨率。
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